Samsung acelera la carrera por la memoria 3D que impulsará la próxima ola de la inteligencia artificial

(Por TA) Samsung presentó su visión sobre la próxima generación de memorias 3D durante el Future of Memory and Storage (FMS) 2026, en Santa Clara, Estados Unidos, donde expuso una hoja de ruta enfocada en responder al acelerado crecimiento de la inteligencia artificial y las nuevas exigencias de los centros de datos. La compañía sostuvo que la evolución de la IA requiere arquitecturas de memoria con mayor capacidad, velocidad y eficiencia energética.

Durante el encuentro, la empresa dio a conocer su tecnología V10 Bonding V-NAND (BV-NAND), una memoria NAND de más de 400 capas que incorpora una arquitectura basada en unión de obleas. Según Samsung, este desarrollo incrementa en un 58% la densidad de almacenamiento respecto a la generación anterior y responde a la creciente demanda de procesamiento para aplicaciones de inteligencia artificial en tiempo real.

La compañía también mostró conceptos de nuevas arquitecturas de memoria, entre ellas zHBM y zNAND-O, diseñadas para acercar físicamente la memoria a los aceleradores de IA. Con este enfoque, Samsung busca aumentar el ancho de banda, reducir la latencia y mejorar el consumo energético en plataformas dedicadas al entrenamiento y ejecución de modelos de inteligencia artificial.

De acuerdo con la firma surcoreana, la tecnología de unión de obleas permitirá multiplicar por más de diez la densidad de memoria frente a las soluciones HBM convencionales de nueva generación, además de triplicar la eficiencia energética y disminuir la resistencia térmica, factores que cobran relevancia a medida que aumentan las cargas de trabajo de la IA.

Samsung explicó que la industria atraviesa una transición desde la inteligencia artificial generativa hacia sistemas de IA agentes y, posteriormente, hacia aplicaciones de IA física. Ese cambio obliga a replantear la infraestructura de memoria y almacenamiento para soportar modelos más complejos, tiempos de respuesta más cortos y volúmenes crecientes de datos.

En ese contexto, la empresa remarcó que la memoria dejó de ser un componente complementario para convertirse en uno de los pilares de la infraestructura tecnológica que sostiene el desarrollo de la inteligencia artificial. La demanda ya no depende únicamente de la capacidad de almacenamiento, sino también de la velocidad de acceso, la eficiencia energética y la integración con los procesadores especializados.

Los ejecutivos de Samsung señalaron además que esperan una demanda sostenida de soluciones de memoria para IA en los próximos años. La compañía indicó que entre el 60% y el 70% de sus ventas de memoria podrían provenir de contratos de largo plazo con clientes, impulsados por la expansión de centros de datos, plataformas de computación de alto rendimiento y servicios de inteligencia artificial.

El FMS 2026 reunió a fabricantes de semiconductores, empresas tecnológicas y especialistas del sector para debatir el futuro del almacenamiento y la memoria en la era de la inteligencia artificial. En ese escenario, Samsung aprovechó el evento para posicionar sus desarrollos como parte de la infraestructura que respaldará la próxima generación de servicios y aplicaciones basados en IA.

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